VDMOSE是垂直双扩散-氧化物半导体场效应管,VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是非常理想的器件。VDMOSFET已经是具有代表性的第三代电力电子器件的产品,它的特点是输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、频率特性优越、以及良好热稳定性,广泛的用于汽车电子、马达驱动、工业控制、电机调速、开关电源、节能灯、逆变器音频放大、高频振荡器、不间断电源等。VDMOSEFET出现以来,器件性能和工艺各方面都有很大的发展,在国际和国内上的需求量增长,长时间内市场份额依然会很大。在中国VDMOS产品90%以上需要进口,因此对VDMOS器件的物理特性及电学特性设计与研究有重要实际意义。它的出现是器件发展的必然,VDMOS结构是以往各种器件的优势结构的结合体。然后又与MOS器件的工作特性比较,对VDMOSFET工作原理和特性进行了详细的阐述,对VDMOSFET的纵向结构、横向结构,高压VDMOS管的工作原理,特性曲线,电参数等进行了介绍,并且对它的技术特点与优势进行了归纳,并且对功率VDMOSFET和普通MOS器件的各项电参数进行了比较,优化了高压VDMOS的导通电阻,对VDMOSFET的结构参数和特征导通电阻之间的关系进行了分析,给出了多晶硅窗口区尺寸LW和多晶区尺寸LP的最佳化设计比例,对栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻Rona的影响和N沟道VDMOSFET的P—体扩散区结深Xjp-进行了重点讨论,讨论了高压VDMOS的终端技术,详细的介绍了终端结构中的金属场板、电场限制环、对终端截止环的结构和原理。本论文对高压(100V)功率VDMOSFET进行了设计.器件的元胞尺寸的设计是通过大量计算得到的各个参数,器件的版图是用L-EDIT软件画出的。通过SILVACO软件对器件进行了模拟,结果完全合乎实际要求。