中阶梯光栅具有超高分辨率的特点,在光谱仪、光通信等领域都有着广泛的应用。根据光栅理论,对阶梯光栅,90°顶角的三角形槽型是获得完美闪耀的首要条件,因此,90°顶角三角形槽将比非90°顶角阶梯光栅获得更高的闪耀级次衍射效率。然而,对于目前用于制作阶梯光栅的两种主要方式——机械刻划法与单晶硅湿法腐蚀技术,制作90°顶角的三角形槽阶梯光栅存在很多困难。本文在单晶硅各向异性腐蚀技术基础上,通过再次倾斜光刻,在14°、35。斜切(110)单晶硅片上成功制作出90°顶角的中阶梯光栅,其沟槽闪耀面仍然为光滑平整的硅单晶面,相应闪耀角为76°与55°。在1500-1600nm波段对闪耀角76°的阶梯光栅进行。了闪耀级次衍射效率测量,测量结果的趋势与C方法计算结果基本吻合,其中在1500-1550nm波段光栅表现出良好的闪耀特性,效率为理论值的52-75%,峰值约为58%。对闪耀角55°的阶梯光栅,对比了顶角900与顶角70.530两种三角形槽型阶梯光栅的衍射效率,结果表明,900顶角三角形槽阶梯光栅衍射效率较70.53°顶角阶梯光栅高3%-15%。最后分析了实测衍射效率偏低的原因,主要包括4个因素：光栅缺陷、槽距误差、闪耀角误差以及槽深误差。其中前两个因素主要的影响是产生杂散光,闪耀角误差导致闪耀级次的偏移。在制作过程中引入的槽深误差对光栅衍射效率的影响较大,实验中槽深误差约为10%-15%,在测量波段,其理论闪耀级次衍射效率约为槽形效率的77%-85%。通过对4个因素的分析,为下一步完善光栅制作工艺提出了改进的方向。