智能功率驱动芯片是一种将驱动电路、功率器件、传感器及各类保护电路集成在一起的功率芯片,特别适用于各类电机及逆变型电源,具有高效、节能、智慧的特点。横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor, LIGBT)作为智能功率驱动芯片中的核心器件,承担着低压到高压、低功率到高功率之间的转换功能。作为开关器件,LIGBT需要具有快速开关的特点。在保持其余电学参数不退化,不引入额外性能损耗的前提下提高器件的关断速率是目前研究的热点。本文在厚膜绝缘衬底硅(Silicon On Insulator, SOI)工艺平台的基础上,从LIGBT器件的关断过程入手,详细分析了LIGBT器件在感性负载条件下的关断机理。接着基于仿真软件再现了LIGBT器件关断的详细过程,包括关断前载流子的分布、关断过程中载流子的运动路径、关断后期载流子的分布及复合过程等。然后研究了几种现有的具有快速关断特性的LIGBT器件结构,分析了其各自的优缺点。在此基础上,提出了一种具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件。该器件的集电极区域增加了分段的沟槽隔离结构,并增加了用于在关断过程中抽取电子载流子的N+集电极结构以及进一步提升通态电流密度的P+集电极结构。通过为载流子提供特殊的排空通道,该结构可在保持器件整体耐压、阈值电压、线性电流密度等参数不退化的前提下,提高器件的关断速率。最终的测试结果显示,论文提出的厚膜SOI-LIGBT器件在保持其余电学参数不退化的前提下,关断时间从572ns缩短到189ns,降低了66.96%。