随着半导体技术的不断更新,物联网、人工智能和5G通信等应用领域的不断发展以及电子产品功能的不断复杂化,对电源管理模块最大电流能力要求也不断增加。对于在电源管理类芯片中应用最广的低压差线性稳压器（Low Dropout Regulators,LDO）,由于芯片封装大小以及散热的限制,使得单个LDO芯片能提供的最大电流也受到限制。而LDO的并联方案是解决该问题、提高电源系统最大电流能力的有效途径,但简单地通过增加外部控制回路或者额外的器件来实现LDO并联,存在系统稳定性降低、均流效果较差和不利于在片上系统中集成等问题。本文研究设计了一款大电流,可双相并联、自动均流的高性能LDO芯片,其具有高电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio,PSRR）、高精度、优越的线性调整率和负载调整率等特点。本文的创新点如下:（1）提出了一种“嵌套式”电流模密勒倍增、密勒电容外置的外部补偿方式,嵌套式的结构特点减小了芯片体积,且该补偿方法不产生右半平面零点,可靠性增强,在各种应用环境下皆能保持良好的稳定性。（2）设计了一种低压高精度免修调基准电压源电路,提高了输出电压的精度。通过采用三极管作为差分运放的输入对,使运放失配极小,从而实现±0.96%的高精度输出基准电压,且不需要额外增加修调电路,减小了该电路所占面积。（3）设计了一种高精度的可编程电流限制功能模块,通过选用不同的PCL管脚对地电阻,实现LDO芯片输出电流的限流值的可编程功能,以适应不同应用场景需求。（4）设计了一种通过电流信息交换来实现自动均流的LDO双相并联方案,使最大输出电流达到6A。实现两个芯片电流差为固定值,从而很好地平衡流过两个LDO的电流比例,减小了并联LDO之间的温差,提高了系统的安全性和可靠性。采用TSMC0.18um BCD工艺进行电路设计和仿真验证,最终完成版图设计。仿真结果显示,输入电压1.5V～5V,输出电压0.8V～VIN-0.35,最大输出电流3A,输出电压精度±1.19%,压差电压小于280.7m V,最大线性调整率0.041%/V,最大负载调整率0.00098%/V,最高PSRR为71d B@1k HZ,并联工作时两LDO芯片电流差为0.249A。