当In含量为17.6%时，InAlN晶格可与GaN晶格实现晶格匹配无应力状态，因此可避免由于晶格失配产生的一系列问题。但是由于InN和AlN两种材料的生长特性差异较大，使得高质量高In含量InAlN材料的生长成为目前国际性难题。PMOCVD（脉冲金属有机物化学气相淀积）是西安电子科技大学提出的生长高质量高In含量InAlN材料的一种新工艺方法，其工艺特征是反应源脉冲分时通入反应室，能很好的控制InAlN的生长，其研究报道受到广泛关注。本文采用流体动力学模拟软件FLUENT，对PMOCVD生长InAlN的流体动力学行为进行系统的仿真分析研究。根据西安电子科技大学宽紧带半导体实验室自制的120-MOCVD反应室结构，建立了反应室的FLUENT仿真模型；通过FLUENT软件的用户自定义模块（UDF），用C语言编写了PMOCVD的脉冲文件；采用FLUENT软件，对常规MOCVD的连续流量和PMOCVD的脉冲流量的流体动力学行为进行对比分析。仿真结果表明，PMOCVD可以降低各气源在反应室腔体内的混合，从而能有效的降低预反应，达到提高材料质量的目的。基于上述研究结果，对PMOCVD法生长InAlN材料的工艺模拟参数进行优化，反应室压强、生长温度和脉冲时间的优化结果分别为200torr、973K和18s。与实验结果相对比，得到了一致的结论。这既说明了模型的可适用性，同时可为以后的实验预先进行模拟，优化出生长范围，提供一些有价值的参考。