电磁脉冲是一种瞬变电磁现象，它具有电场强度高、上升时间短、携带能量大等特点，因而对电子系统和电子元器件构成了严重的威胁。高电子迁移率晶体管(HEMT)作为新一代微波及毫米波器件，经过十几年的发展，已经成为微波混频器、振荡器和宽带行波放大器的核心部件，所以有必要从理论上研究HEMT器件在电磁脉冲作用下的损伤效应与机理。本文利用器件仿真软件ISE TCAD建立了AlGaAs/GaAs HEMT的仿真模型，在此基础上分别研究了器件在阶跃脉冲信号和正弦信号作用下的损伤效应。二维仿真结果的对比研究表明，在两种不同的输入电压信号作用下，器件的热损伤区域都是栅极和漏极之间的器件表层。在阶跃脉冲信号作用下，通过数值计算得到了器件损伤能量阈值与烧毁时间的关系，同时还研究了不同外置电路对器件损伤效应的影响。在正弦信号作用下，数值计算结果表明器件在电压的负半周期升温更快也更容易烧毁。本文的研究工作为HEMT器件的损伤评估与加固提供了一定的理论基础，也为相关方向的进一步理论与实验研究奠定了基础。