碲化铋（Bi₂Te₃）基材料在近室温区半导体制冷和热电发电方面具有广泛而重要的应用。然而商业化区熔碲化铋材料存在机械性能较差、易解理等问题,不仅材料利用率较低,而且也容易造成器件失效。因此,需要提升碲化铋材料的力学和热电综合性能,以满足更广泛的应用需求。本论文以p型Bi SbTe为研究对象,通过复合室温低热导率的AgSbTe₂材料,优化电学性能的同时降低了热导率,实现了材料综合性能的提升。并且,采用热变形工艺制备了多晶块体BiSbTe材料,探究了不同温度下热变形样品热电性能,优化出了最佳的热变形温度。在此基础上,利用Cu掺杂降低材料的晶格热导率,进一步优化了p型Bi SbTe材料的热电性能。具体研究内容如下:1.通过热压烧结工艺制备了Bi SbTe-x wt%Ag SbTe₂（x=0,0.05,0.1,0.2）复合材料;AgSbTe₂复合在优化载流子浓度的同时对载流子迁移率的影响较少,当复合量为0.1 wt%时,功率因子在300 K达到最大值46μW cm^-1 K^-1,这一值接近于区熔样品(48μW cm^-1 K^-1)。AgSbTe₂复合还增强了声子散射,晶格热导率显著降低,最终,复合0.1wt%Ag SbTe₂的样品在325 K获得最大ZT值1.15,相比于基体提升了44%。2.在热压温度673 K的基础上,研究了不同热变形温度773 K,803 K,823 K对碲化铋材料热电性能的影响。结果表明,热变形（HD）工艺能够获得比热压（HP）更高的BiSbTe电学性能;特别是热变形温度为803 K时,Bi SbTe晶格热导率也得到有效降低。最终在热变形温度为803 K的Bi SbTe材料中得到最优化热电性能,样品在350 K处达到最高ZT值1.0,高于HP-BiSbTe样品（0.8@350 K）。3.在最优化热变形工艺基础上,采用热变形工艺制备了系列Cu掺杂的Cu_xBi_0.48Sb_1.52Te₃（x=0,0.005,0.01,0.015）材料;相比于热压,热形变过程中织构化程度有所降低,但晶界减少、晶粒由2.4μm长大至3.0μm,载流子迁移率得到大幅提升。HD-Bi SbTe样品室温下的载流子迁移率达到250 cm² V^–1 s^–1,远高于HP-BiSbTe样品的170 cm2 V–1 s–1。Cu掺杂和热形变过程中产生了大量的点缺陷和纳米尺度位错,增强了声子散射,使得室温晶格热导率由1.0 W m^–1 K^–1降低至0.6 W m^–1 K^–1。最终,x=0.01时,HD-Cu_0.01Bi SbTe样品在400 K处取得最大ZT值1.1。