半导体量子点材料由于其人工原子的能级特点展现出独特的光电特性,被广泛的应用于光电器件,其中一个代表就是分子束外延In As/GaAs自组织量子点在光子探测器和激光等方面取得的成功应用。然而,在量子计算等领域对量子器件如单光子发射器、光子晶体要求位置可控的量子点结构。传统的可控量子点制备往往依赖于图形化衬底技术,然而在图形化衬底的过程会产生表面氧化、杂质污染和刻蚀损伤等弊端。激光直写干涉纳米图形化分子束外延技术由于制备过程中处于高真空生长腔,避免了二次外延,适用于制备多层量子点,可以有效的解决这些问题。本论文研究了原位脉冲激光辐照In As/GaAs量子点的作用特性,并且验证了脉冲激光能够完全移除衬底表面的量子点。通过对激光强度和表面作用温度这两个方面研究了量子点结构形貌演变规律,提出了受温度制约的In原子靶向性光致脱附与光致迁移动力学模型。高温情况下,由于光致脱附效应占主导,量子点形状保持不变,总体尺寸缩小,呈现出液滴蒸发的效应;低温情况下,由于光致迁移效应的加剧,量子点形状从3D岛塌缩成2D岛。通过激光刻蚀量子点的后续对比实验证明了激光对In As量子点的选择性脱附,同时也验证了合适能量下的原位脉冲激光对GaAs衬底没有造成明显的刻蚀损伤。AFM形貌及PL光谱分析研究发现激光刻蚀量子点跟普通SK自组织量子点没有明显差异,这说明原位激光刻蚀技术与分子束外延具有良好的兼容性。