本文通过对激光模式特性方面的研究,确立了以脊型波导结构和InP/InGaAsP材料体系的方案;分析了脊型波导结构的优势;并通过数值仿真方法对半导体激光器工作的基本原理进行模拟;优化了激光器的结构以及脊型形貌(包括刻蚀宽度、刻蚀后剩余高度、刻蚀高度、刻蚀角度);分析了脊型形貌对于器件模式特性和输出特性方面的影响。结合实验室现有设备,对模拟的方案进行实践。通过对光刻、刻蚀等实验方面的工艺优化,确定以感应耦合等离子体干法刻蚀作为器件实现的办法,优化刻蚀设备注入气体的种类以及流量比等方面的工作,获得了更为适合以InP为基底的外延结构的干法刻蚀方案。最终设计出的器件:脊宽4μm,刻蚀深度为1.5μm,刻蚀剩余高度0.15μm,刻蚀表面相对光滑陡直。器件输出特性方面:室温条件下,当腔长1000nm时,注入电流420mA,器件能够实现稳定的单模输出,输出波长为1 558.2nm,输出功率为108mW,阈值电流为45mA。