磁控溅射法属于物理气相沉积,可以用于制备金属,半导体,绝缘体等材料,从1970年开始发展,磁控溅射法的科学性已被广泛地证实。之前没有对于CoSi2薄膜和薄膜的表面进行理论计算的研究,也没有系统的通过磁控溅射法制备CoSi2薄膜的实验研究。本文研究的意义在于探究CoSi2薄膜的磁控溅射法制备工艺,从而制备出具有单一物相,表面连续且光滑的CoSi2薄膜,为CoSi2薄膜在集成电路器件中的应用提供更多的可能。首先,本文详细介绍了CoSi2的基本性质与CoSi2薄膜的研究现状,并提出了本文研究的内容,目的和研究的方法。并且采用第一性原理计算了CoSi2薄膜[111]晶向不同厚度的薄膜性质,测量不同厚度薄膜表面键长的变化,计算得到不同厚度的薄膜以及块体的能带和态密度,研究了不同厚度对薄膜表面结构,能带,态密度以及磁性的影响。并计算得到了CoSi2（111）、（220）、（311）、（400）、（331）、（422）晶面薄膜的表面能,比较不同晶面CoSi2薄膜表面能的大小。结果表明当薄膜具有两层原子结构时,厚度会影响薄膜表面的结构,并影响薄膜的能带,态密度和磁性,当厚度增加时,其影响可以忽略不计。不同晶面的CoSi2薄膜中（111）晶面的薄膜表面能最低,为885.45 e V/nm~2,结构最为稳定,在实验制备的过程中可能会有择优生长的情况出现。在实验中,以计算的结果为基础。选取（111）晶面的单晶硅为衬底,采用磁控溅射仪和高真空退火炉制备了Co-Si化合物,通过控制溅射时间确定Co膜的厚度,通过SEM观察薄膜截面并计算得到直流溅射沉积Co膜的速率为6nm/min。采用不同的热处理工艺参数和溅射工艺参数,制备了不同参数条件下的CoSi2薄膜,并用X射线衍射仪,拉曼光谱仪和扫描电子显微镜检测了其表面形貌和物质结构,获得了单一物相的CoSi2薄膜。分别探索了不同热处理温度、热处理时间、溅射气压,Ar气流量,溅射功率对CoSi2薄膜的形成、结构和形貌的影响。最后采用正交实验的方法使用正交助手软件选择5因素,4水平的条件生成了不同的制备参数,制备出相应的CoSi2薄膜,对制备参数进行了最后的优化。得到了最佳的制备参数条件为溅射功率75 W,溅射压强2.0 Pa,Ar气流量50 sccm,热处理温度720℃,热处理时间5.0 h,对CoSi2薄膜制备影响最大的因素为热处理温度。