【摘 要】
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为用自对准技术制作聚焦型发射阵列 (FFEA)的聚焦极 ,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni SiO2 金属陶瓷电阻层。研究结果表明 ,当适当调整Ni
【机 构】
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清华大学电子工程系!物理电子及光电子教研组,北京100084,清华大学电子工程系!物理电子及光电子教研组,北京100084,清华大学电子工程系!物理电子及光电子教研组,北京100084,清华大学电子工
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为用自对准技术制作聚焦型发射阵列 (FFEA)的聚焦极 ,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni SiO2 金属陶瓷电阻层。研究结果表明 ,当适当调整Ni和SiO2 成份比例 ,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌 ,能谱成份分析 ,方阻及透光率进行了讨论。最后 ,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。
In order to fabricate a focusing electrode for a focused emission array (FFEA) with a self-alignment technique, a resistive layer of FFEA is required to be able to transmit near UV light through lithography. For this reason proposed by co-sputtering method Ni SiO2 cermet resistance layer. The results show that when the proportion of Ni and SiO2 is properly adjusted, the resistive layer that satisfies the square resistance and does not hinder the lithography can be obtained. At the same time, the microstructure, energy composition, square resistance and transmittance of the resistance layer were discussed. Finally, an example of making a field emission focusing electrode using this resistance layer is given.
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