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N沟道MOSFET概述N沟道MOSFET有三个电极,分别是源极S、漏极D和栅极G.当VGS=0时,漏、源极之间无原始导电沟道,Io=0;当VGS＞0但是比较小时,漏、源极之间也无导电沟道.当VGS＞VGS(th),在D和S之间加正电压,就会产生漏极电流ID,ID将随VGS的增加而增大.
小信号MOSFET及其应用
【摘 要】
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N沟道MOSFET概述N沟道MOSFET有三个电极,分别是源极S、漏极D和栅极G.当VGS=0时,漏、源极之间无原始导电沟道,Io=0;当VGS＞0但是比较小时,漏、源极之间也无导电沟道.当VGS＞VGS(th
【机 构】
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NXP公司
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2009年11期
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