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Ⅲ族氮化物量子点研究进展
Ⅲ族氮化物量子点研究进展
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qqqqqqwer
【摘 要】
:
综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状.主要涉及了GaN,hN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机理、光学特性和器件应用等内容.同时对该领
【作 者】
:
张会肖
【机 构】
:
电子十三所
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
2001年4期
【关键词】
:
量子点
氮化镓
氮化铟
Ⅲ族化合物
半导体材料
quantum dot
GaN
InN
InGaN
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综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状.主要涉及了GaN,hN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机理、光学特性和器件应用等内容.同时对该领域的未来研究趋势也进行了讨论.
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