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基于传统双向可控硅（DDSCR）提出了两种静电放电（ESD）保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流（～nA）,抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压（均超过3.3V）,可保证其可靠地用于1