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用Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>作渗剂的低温气体渗硅法

来源 :热处理 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tanmh
【摘 要】
：
使用六氯化二硅作为CVD（化学气相沉积）原料,可以低温气相合成SiC或Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>涂层。此外,在金属成合金气体渗硅时,使用Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>可比用Si
【作 者】
：
元岛栖二 陈赛克 
【出 处】
：
热处理
【发表日期】
：
1989年1期
【关键词】
：
气体渗硅 Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub> 六氯化二硅 渗剂 耐蚀性 比用 化学气相沉积 
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使用六氯化二硅作为CVD（化学气相沉积）原料,可以低温气相合成SiC或Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>涂层。此外,在金属成合金气体渗硅时,使用Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>可比用Si<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>处理温度低50～300℃,可实现处理温度的低温化。六氯化二硅（Si<sub&g
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