【摘 要】
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忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下
【机 构】
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常州大学信息科学与工程学院; 南京理工大学电子工程系;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:51277017);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012583)资助的课题~~
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忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.结果表明:荷控忆阻器的伏安关系具有斜体"8"字形紧磁滞回线特性,随其参数符号的不同,荷控忆阻器呈现出无源性和有源性,导致其电路特性发生相应的变化;相比无源荷控忆阻器,有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用.制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路,实验测量结果很好地验证了理论分析结果.
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