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采用有效质量理论6带模型，计算了In0．53Ga0．47As／InP量子线的光学性质，具体计算了In0．53Ga0．47As／InP量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱，并把量子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。
InGaAs／InP量子线的子带结构和光学增益
【摘 要】
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采用有效质量理论6带模型，计算了In0．53Ga0．47As／InP量子线的光学性质，具体计算了In0．53Ga0．47As／InP量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱，并把量子线
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年1期
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