刻蚀技术相关论文
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长......
应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速......
激光热刻蚀技术是近年发展起来的利用激光热刻蚀薄膜的热变化阈值特性突破光学衍射极限进行纳米图形制备的新技术,在亚波长纳米结......
小,还要更小 20世纪末至本世纪初,纳米技术的发展给传统艺术带来了巨大冲击。其中,一个重要的特征就是艺术作品的小型化与微型......
采用光刻技术、刻蚀技术和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在线阵掩模微结构表面沉积了SiO2和Si3N4薄膜,研究了线阵掩模的宽......
本文论述了不使用粘附剂进行光刻某些材料的新方法——正胶低温显影技术.应用低温显影技术可以相对地增加正胶的粘附性,并刻出了1-......
光刻胶的刻蚀在细化光刻胶线条以及在对细线条的光刻胶进行修剪方面都有作用,本文采用等离子体刻蚀机对光刻胶的刻蚀技术进行了研......
设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道,200GHz通道间隔的阵列波导光栅(AWG)器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器......
生物分子在材料表面上的吸附对许多实际应用如表面生物诊断、生物传感器和生物医学器件等都是十分重要的。材料表面的化学结构、亲......
基于三族氮化物(如GaN)的LED(Light emitting diode)因其环保、节能、体积小和寿命长等优点,已广泛应用在照明和显示等领域中。近......
微流控芯片毛细管电泳技术具有高效、快速、试样消耗量小、集成化程度高等特点,在化学和生物分析方面有着广泛应用。荧光检测是芯......
通过ESCA分析研究,确定纤维素的C1S电子结合能在285.95 eV左右只有一个对称单峰;苯基异氰酸酯与水反应产物N, N-二苯基取代脲的C1S......
近日,应用材料公司推出了Applied Centura@ AvatarTM电介质刻蚀系统,提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维存储结构制造过......
·Applied Centura Avatar系统克服挑战,刻蚀全新的三维NAND闪存芯片·在同一工艺中实现80:l深宽比结构和渐变深度差异很大......
聚合物材料,特别是由高内相乳液(High Internal Phase Emulsion HIPE)模板制备的高孔隙率的多孔聚合物材料(polyHIPE),最近在各种应用......
采用波导法研究了开口谐振环(split resonator rings,SRRs)负磁导率材料X波段(8-12 GHz)的微波反射行为.通过电路板刻蚀技术制备了......
基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感......
本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP——Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构,根据近年来国内外 ICP ......
发丝表面艺术指的是利用传统的手工微雕、微画工艺或先进的微纳米加工技术,在头发丝表面进行微观创作的艺术形式。根据不同的角度,......
三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高......
<正> 日本计算机综合研究所(CDL)最近研制出对超大规模集成电路有用的用CCl4气体的铝等离子体刻蚀技术,并在八月举行的1977年度电子......
功率器件是电力转换的重要部件,其性能是影响电力转换效率的关键因素。发展了将近60年的硅基功率器件已经无法满足人们日益增长的......