单粒子闩锁相关论文
为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,......
工作于空间辐射环境中的半导体器件因有源区受到高能粒子轰击而产生的单粒子效应是影响航天器件可靠性的重要因素。随着数字集成电......
为提高标准单元在空间辐射条件下抗单粒子闩锁能力,基于65 nm CMOS工艺使用TCAD工具建立了4种保护环结构的3D模型.设计对比了多种......
1553B总线系列器件的抗辐照性能对整机系统设计及器件选型变得越来越重要，因此对其抗辐照指标的应用测试已显得更为关键；以6i580S3-i......
主要对质子单粒子闩锁（SEL）的影响因素进行了分析，首先介绍了质子SEL原理，然后对电路质子SEL有重要影响的四个影响因素-封装、新材料的......
文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时，CMOS反相器单粒子闩锁（SEL）特性的变化。通过对器件输出电平不同时，不同衬底的C......
宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真......
根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术。针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施。流片......
卫星的单粒子闩锁异常发生初期隐蔽性强、不易诊断,如果长时间得不到有效处置将产生严重危害。根据卫星的实际管理经验,卫星的负载......
随着CMOS电路技术的高速发展,集成密度增大,低功耗设计以及系统芯片也已普及,导致电路更容易受到空间干扰的影响,从而使整个电子系......
为了解决航天用模拟CMOS集成电路的单粒子闩锁效应的评估问题,结合一种基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的模......
为满足航天应用对大面阵高动态CMOS图像传感器的需求,对噪声优化与辐射加固等关键技术进行了深入研究。基于系统架构的增益级与双......
研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180rim体硅工艺，基于校准的CMOS反相器器件模型，使用器件模拟的方法，研究了粒子人射位置、温度......
SRAM单粒子效应监测平台用于兰州重离子加速器(HIRFL)辐照终端开展单粒子效应实验,采用"承载子板—主控制板—上位机"结构。简要分......
首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源,并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性,归纳出......
文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题,开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)器件单粒子闩锁效应产生......
随着集成电路的高速发展,存储器占据越来越重要的地位。其中,静态随机存储器(SRAM)因其速度快、功耗低已被广泛应用于各种高速存储......
