氮化镓薄膜相关论文
第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展......
以氮化镓(gallium nitride,GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料,由于其优良的光学(带隙宽度可调:0.67-6.2 eV)和电学(高击穿电场......
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氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料,因其优异的光电性能和稳定性,十分适合制备光电子器件和微波射频器件,在照明与显示......
GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,广泛用于制备高亮度LED、半导体激光器和大功率电子设备。在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长的GaN由于......
氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的光电性能和稳定性,十分适合制备光电子器件和微波射频器件,在照明显示、5G通信、......
氮化镓(GaN)材料已成为宽带隙半导体材料中一颗璀璨的明珠,它的研究与应用是现今全球半导体研究的前沿和热点。目前,金属有机物化......
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用......
本文主要研究用氮化法制备GaN粉末和在St（111）和石英衬底上直接溅射GaN薄膜，给出了两种方法制备GAN样品的实验过程，较系统地研究了粉末......
近年来,宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注,生长......
本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预......
直接带隙宽禁带半导体材料GaN是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要材料之一,深受国际上的关注。因此,GaN材料的研究已成......
近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN/GaN LED在晶体生长、薄膜制备以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显......
氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带(3.4 eV)半导体材料,因其独特的特性被广泛的利用在很多领域如在光电子方面GaN基的高效率蓝绿光L......
目前主流的制备氮化镓(GaN)材料的方法是在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上通过金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或......
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿结构，在室温下的禁带宽度为3.39 eV，在光电子和微电子领域的应用前景广......
本论文的主要内容是在激光和等离子体特性研究的基础上进行激光和等离子体的应用探索，摸索一种新的材料制备方法—基于电子回旋共振......
GaN基材料具有禁带宽度大、电子漂移饱和速率高、介电常数小、导热性能好等特点,非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电......
采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTI......
采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺，以氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在蓝宝石衬底α—Al2O3的（0001）面上低温生长了GaN薄膜。薄......
利用化学气相沉积法（CVD），分别以三氧化二镓（Ga2O3）和氨气（NH3）为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓（GaN）薄膜，实验中没有......
主要讨论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主......
用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间.用扫描电镜(......
使用紫外一可见光分光光度计，研究用金属有机物气相外延（MOVPE）方法生成在蓝宝石衬底上的GaN薄膜的反射光谱、透射光谱以及用分子束外......
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C（0001）面上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对......
以氧化镓为镓源,用溶胶-凝胶和高温氨化二步法,在Si（111）衬底上制备出GaN薄膜.X射线衍射（XRD）分析表明制备的GaN薄膜是六角纤锌矿结构;......
介绍了GaN薄膜材料的主要性质,制备工艺,掺杂,衬底和缓冲层等相关问题,并概述了GaN基器件的研究现状,提出了目前GaN研究中所面临的......
用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜，为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层。脉冲激光沉积后的GaN薄膜......
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜．以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶，再甩胶于Si（111）衬底上，在氨气......
研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz......
本文通过在ZnO/Si（111）衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜。然后将硅基Ga2O3置于管式石英炉中,在85......
以三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)分别作为镓和氮反应源,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术在镀铜......
利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si（111）基片上沉积氮化镓（GaN）薄膜，并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量，分析了薄膜生长的动力学过......
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、光电能谱(X......
对生长在蓝宝石衬底上不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜进行了拉曼散射光谱测量,观察到清晰的LO声子-等离子体激元耦合模的高频支(......
对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN:Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现:两种样品均......
采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收（FTIR）谱、X射线光电子能谱（XPS）和扫描电镜（SEM）对样品......
研究了铝酸锂晶体的化学机械抛光工艺。自制了SiO2悬浮液作为抛光剂,主要研究抛光过程中抛盘转速、抛光时间以及抛光压力等系列抛......
利用红外光谱仪无损测量氮化镓薄膜的反射红外光谱,通过拟合计算获得薄膜的载流子浓度以及迁移率.实验测得氮化镓薄膜的载流子浓度......
