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全球范围内,超过60%陆地表面是坡度>8°的坡地,侵蚀过程异常活跃。土壤团聚体作为土壤结构和功能的基本单元,侵蚀过程对土壤团聚体......
摘要：在水土保持工作开展过程需要提高施工技术水平，通过采取有效的施工方法，必然能够推动水土保持工作可持续发展。为了顺利开展水土......
摘要：海通沟近期发生过泥石流。该沟今后还可能发生一定规模的泥石流。海通沟流域一旦暴发泥石流，将对水泥厂产生影响。为保证水泥厂......
摘要：该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构，Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小......
摘 要：以南泥湾镇治沟造地项目灌溉方式为例，对陕北黄土丘陵沟壑区的节水灌溉模式进行了论述，提出了今后应进一步研究的问题。 关......
皇家飞利浦日前推出Nexperia移动多媒体处理器PNX0103，它不仅能够实现从手机和便携式闪存设备超高速下载内容，而且耗电量极低，可以延......
摘要：分析了江苏省新垦滨海滩涂明沟排水存在的淤积和土地占用问题，并对产生原因进行探讨，发现滩涂土壤结构差、农沟深度大和边坡较长......
摘要：在室温条件下采用射频磁控溅射的方法在热氧化SiO2衬底上生长IGZO薄膜作为有源层，并将其制备为薄膜晶体管器件.研究不同的沟道......
看过杜迪康在大学4年的丰富经历，很多人会瞬间石化，除了科研创新、创业办公司外，他也参加社团、当志愿者，健身、烹饪、旅行，等等。杜迪......
对包头市城市防洪范围内的地形、水文和防洪设施现状详细地进行了分析,得出包头市城市洪涝灾害产生的原因,进而提出应对洪涝灾害的......
将应变超晶格锯齿型沟道的影响等效为形状相似的周期调制,并考虑了双频激励对系统稳定性的影响。在经典力学框架内和小振幅近似下,......
首次将ImageJ图像处理软件应用到泥石流固体颗粒的分析中,通过对固体颗粒边缘的识别,实现对沟道粗化层块石粒径的快速自动提取.以......
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道......
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸......
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性......
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
兴建灌溉渠系,免不了与淘道相交,修建交叉建筑物。当沟底高程高于渠底高程时,一般用涵洞或排洪槽;当沟底高程低于渠底高程时,一般......
当前光通信网络正朝着大规模、大容量的方向迅速发展,传输带宽所面临的巨大增长压力对通信光纤提出了更高的要求。在此背景下,基于......
德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V ......
电子元器件是电子设备的基础,是不能再进行分割的基本单元,因此电子元器件的寿命在一定程度上决定了电子设备的使用寿命。功率MOSF......
<正>南京电子器件研究所首次研制出7~13 GHz连续波40 W大功率限幅器+低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求,将PIN二极管......
沟谷系统是黄土地貌重要的组成部分之一,其物质能量交换活跃,地表形态特征复杂多样,严重的土壤侵蚀给下游带来严峻挑战,是研究的热......
SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是“二十一世纪的硅集成电路......
将分布式水文模型与土壤侵蚀产沙模型相互嵌套,构建了一个分布式流域水沙预报模型。模型基于DEM,将流域离散为“坡面+沟道”系统,......
在雨水沟道上利用天然地形作为雨水调节池,用来暂时停蓄雨水迳流的洪举流量,可以降低調节池下游沟管和雨水唧站的造价。苏联学者提......
根据节能减排需要,为实现滏阳河退污还清,需要将通过市政雨水管道排入滏阳河的污水,收集截流进入城市污水处理厂。近期截污工程采......
在3M4630磨球机上对钢球进行精磨和研光时,传统的加工方法是,使送料盘按顺时针方向旋转(图1),并在转动板上车沟,工作时,钢球从送......
美国贝尔实验室研制的1024单元P 沟道MOS随机存储器(MOS RAM)(Electronics.Dec.18,1972,p.29)采用电子束工艺重新生产后,使整个存......
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48A......
利用解理法观察双极型集成电路芯片,对隔离沟道电流和结特性退化的原因进行了分析,认为外延层参数的不均匀性是造成隔离沟道电流......
本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰......
本文用加权余量法导出了用以计算各种条形介质波导色散关系,矩形芯双沟道耦合器耦合长度以及条载型波导色散关系的数学表达式,其精......
本文从MOS管电容模型出发详细分析了MOS源漏自举电路的自举物理过程,认为其中负载管栅电容主要起耦合作用.所得自举率公式、输出达......
摘 要：绵阳市安县处于四川龙门山断裂带与四川盆地结合部，2008年突发的“5·12”汶川特大地震对其影响较为强烈，属于重灾区。大地震在......
为探索飞秒激光在兔眼巩膜上产生光离解作用的可行性,并寻找适当的激光切割方式及相关参数,将不同脉冲能量的飞秒激光(800nm/50fs)......
基于有限元技术，通过建立关地沟4号坝上游典型坡沟系统的概化模型，得到了随淤地坝坝地的淤高坡沟系统的稳定性和滑塌量的变化分别满......
运用专有芯片设计思想,提出了自己的保护电路设计方案,给出了部分功能电路的实现方法.通过关闭外接FET_SW的方式,与外部的P沟道MOS......
