直拉法相关论文
氧化镓晶体是继碳化硅和砷化镓之后发展起来的第三代半导体材料,在未来具有广阔的应用前景。由于氧化镓的低热导率、高普朗特数、......
针对目测法无法及时发现直拉单晶硅在等径生长阶段发生的掉苞问题，提出一种基于ISOMAP-DE-SVM的掉苞预测模型，可以在掉苞现象发生之......
基于有限体积法得到单晶炉腔内的温度场，研究加热功率、晶体转速以及坩埚转速对液-固界面的影响。计算结果表明，加热功率对液-固界面......
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的......
单晶硅是当代信息产业重要的基础材料,其生长工艺受到行业乃至国家的高度重视。直拉法生产单晶硅时,生产过程中熔硅液面的精准控制......
1.硅价格:1982年多晶硅美国市场价格为$60～7.0美元/公斤;西德伐克公司为$63.77美元/公斤;日本曾从美国进口多晶硅的价格为$40美元/......
总结了熔体中生长直拉硅单晶的基本控制要求,讨论了Cz法单晶生长中的各种流动及其对硅单晶生长的影响。借助于计算机模拟结果,显示......
碳化硅涂层是目前解决单晶硅生产用炭/炭热场材料高温侵蚀的有效手段之一,本文介绍了碳化硅涂层的制备技术及优缺点,综述了碳化硅......
在直拉法中，熔硅液面的位置对晶体的生长品质具有重要影响，为了维持晶体生长过程中熔硅液面位置的稳定，必须对熔硅液面位置进行实时精......
进入21世纪以来，以半导体技术为基础的计算机、通信技术等信息产业(IT)及以太阳能电池技术为主的光伏产业飞速发展，而硅单晶作为其重......
热解炭涂层技术是目前解决单晶硅生产用炭/炭热场材料高温侵蚀的有效方法之一,本文介绍了热解炭涂层的制备技术及优缺点,综述了热......
硅单晶现已广泛用于电子、电气、机械、仪表、制造、核动力工业和各种高技术研究领域,鉴于其在市场上的广泛应用及重要性,本文将先......
炉室是单晶炉的中心环节,内置坩埚、晶体材料、加热系统和保温罩等。直拉法是在半导体领域中应用最广,产量最大的单晶制备方法。本......
随着集成电路技术的发展,集成电路芯片已经发展到高集成度、高密度和高性能.传统的硅晶圆制造技术主要用于小直径的硅晶片生产.随......
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔......
(上接2010年第4期)rn如果是采用直拉法,也就是将连续法聚酯树脂生产线与薄膜双拉生产线连接起来,将完成缩聚反应的聚酯熔体,通过熔......
随着单晶光伏发电大规模的应用,市场对单晶硅的需求和竞争越来越激烈和突出,单晶生产过程的管控直接影响单晶成本的高低,然而单晶......
论文是以半导体材料硅单晶生长为背景,把嵌入式机器视觉系统引入到视频图像采集、处理与显示的研究中。目的是研究一种小型化、智......
利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同......
期刊
晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及......
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式，并采用合适的生长速度，优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数，有效控制了SiGe单晶的位错密度。......
报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果.采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶......
为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直......
自动直径控制(ADC)是直拉法单晶制造中的重要环节.本文详细介绍了直拉单晶的直径检测技术,分析其性能差异,对目前单晶炉设备的设计......
机械振动是直拉法单晶生长过程中不可避免的因素,影响单晶的正常生长。从生长机理方面看,传递到熔体的振动会引起熔体内对流的变化......
直拉硅单晶中空洞的大小和数目对其性能有着至关重要的影响．采用已有的与晶体生长温度场有限元模型相耦合的空洞演化相场模型及其应......
介绍了TDL-Ta60型单晶炉的设计思路及工作原理,结合晶体生长的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.......
为研究大直径直拉硅生长时空洞的演化规律,建立了与有限元模型所模拟的晶体生长温度场相结合的空洞演化相场模型,并应用该模型模拟......
随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现.大直径单晶......
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部......
直拉法晶体形状控制采用Bardsley算法。先确定晶体重量、时间和长度初始值，再以给定初始时间确定晶体生长阶段，在相应时间段用线性内......
作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶......
为了了解硅单晶Czochratski（Cz）法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响，利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟，假......
制备高质量锑化铟(InSb)单晶是发展大规模红外焦平面器件以及新型高温红外探测器衬底材料的关键。而在用直拉法生长InSb的过程中,......
硅中碳和氧是重要的非金属杂质,它们对硅单晶的性质有着重要影响。硅中碳、氧浓度关系引起了国内外的重视。本文利用已有的研究成......
<正> 随着我国电子工业的蓬勃发展,硅器件工艺水平不断提高,对半导体硅材料提出了新的质量要求,比如:1.能准确控制电活性杂质（硅中......
利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同......
随着光伏行业大规模的发展,单晶品质对发电成本的影响尤为重要,然而单晶生产行业中硅液面抖动是直拉法单晶生长过程中经常出现的现......
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂......
在直拉法硅单晶生长过程中，经常会发生晶棒头部氧含量偏高的现象，严重影响了晶体硅和器件的性能，降低了硅太阳能电池的光电转换效率。......
大直径硅单晶是微电子工业的基础材料,广泛应用于集成电路备件和硅片制造领域,是现今信息社会的基石。根据国际半导体设备材料产业......
锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域。简要介绍了直拉生长的工艺及特点，无......
本论文利用二次离子质谱（SIMS）、化学分析法（电感耦合等离子体（ICP）直读光谱仪）、扫描电镜能谱仪（SEM-EDX）三种方法对不同掺锗浓度的CZSiGe......
为了研究拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1)3种拉晶速......
