等离子刻蚀相关论文
目的通过在基体表面构建出不同微观结构，提升环氧树脂与钛合金的粘结强度。方法采用等离子刻蚀设备，调节气体流量、处理时间、RF功率......
随着半导体行业的飞速发展,等离子刻蚀技术逐渐成为了制造半导体器件的关键工艺技术之一。然而,含氟等离子体在刻蚀硅晶片的过程中......
难熔金属钽以其优异的耐蚀性能,成为武器装备、生物医药、核工业及新能源等领域广泛应用的关键耐腐蚀材料之一。然而,钽在制备过程......
对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6......
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封......
为了获得大高宽比的硅纳米结构,结合电子束光刻和等离子刻蚀方法制备厚度为5 nm/20 nm的Ti/Au微纳结构,然后以氢氟酸、去离子水和......
碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。......
为制备具有优良粘附性能和自洁净功能的仿壁虎聚合物微纳阵列结构，本文在结合壁虎脚掌刚毛的黏附性能与荷叶表面疏水性能的研究基础......
BCB树脂具有良好的平坦化特性、电气特性和热稳定性,相比于聚酰亚胺等其他介质,它具有介电常数小,吸水率低,固化温度低和可靠性高......
非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材......
研究了SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对SiO2的选择性,主要通过改变SF6气体流量和加入O2,提高硅的横向刻蚀速率和对SiO2选择性.实......
高亮度发光二极管（HB—LED）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程，通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀......
介绍了一种将聚乙烯醇渗透于碳纳米管中的方法，然后采用等离子刻蚀碳纳米管薄膜制备出了无基底阵列式碳纳米管复合膜。实验发现，聚乙......
氧还原反应（ORR）是燃料电池和金属空气电池等能量转换装置的重要反应之一。然而,ORR反应过程非常复杂、反应动力学缓慢,因此需要大量......
在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀，但对于加工２００ｍｍ以上直径的片子和０．２５μｍ的线宽及孔洞，它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备（ＥＣＲ，ＩＣＰ，ＨＷＰ）和高浓度......
除去干刻或高剂量等离子注入后的光刻胶 ,一般是采用化学溶剂和酸类等湿刻法 ,以前有时采用干燥氧的等离子灰化法。然而成本高 ,具......
为了提高以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)为材料的微流体通道的浸润性,通过溅射SiO2对PMMA和PDMS进行了表面亲水......
等离子划片是近年来兴起的一项新型圆片划片工艺。与传统的刀片划片、激光划片等工艺不同,该工艺技术可以同步完成一张圆片上所有......
本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝......
石墨烯是平面六角蜂窝状排布的单层碳原子结构。近年来,石墨烯因其优异的光学和电学等性质而受到学术界广泛的研究兴趣和关注。石......
微/纳结构的表面图案化技术因其在微电子、信息存储、微型传感器、光子材料等众领域的广泛应用得到了人们越来越多的关注。而胶体......
本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向......
本文是法国 Ａｌｃａｔｅｌ公司 Ｐ·Ｄｕｖａｌ博士于 １９８４年来华时在技术交流座谈会上的报告文稿。文章以人、机安全，排气设备的选择为主题较详细地叙述了在等离......
质量流量控制器的原理和应用北京建中机器厂流量技术室质量流量控对器用于对各种气体的质量流量进行精密测量和控制．它大量用于电子......
气体质量流量控制器的原理和应用质量流量控制器用于对各种气体的质量流量进行精密测量和控制，大量用于电子工艺设备（如扩散、氧化、......
采用紫外光引发自由基聚合液相接枝的方法,将甲基丙烯酸十二氟庚酯(G04)接枝聚合到使用室温等离子体预处理的聚丙烯(PP)片材表面,......
<正> 在半导体工艺中,如低压化学气相沉积法(LCVD)制备多晶硅和氮化硅薄膜,以及等离子刻蚀等工艺,都要使用特种气体。有些特种气体......
黎明化工研究院在洛阳众多的研究机构中有着独特的优势,所从事的化工新材料和化学推进剂原材料的研究开发和生产在国内属于顶尖级......
对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6......
本文研究了等离子刻蚀碳纳米管（CNTs）聚合物复合膜的工艺，并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果。用SEM对刻蚀前后的试样膜面进行了......
期刊
金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技......
随着化石燃料资源的日益减少及其燃烧排放所造成环境问题的加剧,发展新的清洁能源与可再生能源成为人类最迫切的需求之一,其中太阳......
本文以试验设计(DOE)技术的应用研究为目的,结合微电路涂胶和刻蚀工艺对象,研究了微电路工艺的试验方案设计、模型构造和参数优化......
采用统计实验方法研究了利用SF6+Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将......
在工业生产过程中,由于顾及生产效率,纤维很少在单根状态下接受等离子处理。通常,为了实现大规模的生产,纤维都是在集束、加捻或者......
