B掺杂相关论文
采用溶胶-凝胶结合协同自组装法，以三嵌段共聚物F127为模板剂，以正硅酸乙酯为硅源，以酚醛树脂为碳源，改变硼酸三异丙酯硼源的投料量，制......
随着社会和经济的发展,制冷已经进入人们生活的方方面面。传统气体压缩制冷技术由于能效比低、环境污染等问题,难以适应现代社会绿......
学位
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
近年来,能源危机与环境问题愈演愈烈,随着化石燃料消耗量的日益增加,很多宝贵资源面临枯竭的危机。氢能作为21世纪的新型二次能源,......
利用溶胶-凝胶法(sol-gel)在玻璃和硅衬底上生长了B掺杂量分别为0 at％、0.5at％、1.0 at％、2.0 at％、3.0 at％、4.0 at％的ZnO薄膜.采用X射......
高效率、低成本、长寿命一直是太阳电池研发的目标。硅量子点(Si-QDs)薄膜因具备带隙可调、原料丰富和量子限域效应等优点,成为目......
学位
由于TiC晶体结构的非化学计量比特性,其晶格中存在大量空位,一定条件下会有不稳定性。在铝熔体中TiC会与Al反应生成Al_4C_3相同时......
二氧化钛(TiO2)作为n型宽带隙无机半导体材料，具有无毒性、耐光化学腐蚀、无二次污染且优异的光催化活性，在光催化、气体传感器、空......
稀土磁致伸缩材料自上世纪七十年代开始发展以来,一直备受关注。它具有良好的电磁能与机械能或声能相互转换功能。本文通过电......
本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定住置是Pt吸附......
本文研究了B2H6掺杂流量(B掺杂)对平面结构MOCVD-ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响.XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明,玻璃衬底上......
利用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO3的晶格参数、Mulli......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明：对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最......
利用磁控溅射法将厚度可控的B掺杂到FePt多层膜中，构成FePtB多层膜体系。多层膜结构采用中问层掺杂和底层掺杂等方式组合，由此研究热......
以硼酸和钛酸丁酯为主要原料, 以活性炭(AC)为载体, 用溶胶-凝胶法制备了B掺杂TiO2/AC光催化剂.用X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射......
采用浸渍法制备了B掺杂的Cd0．5Zn0．5S光催化剂，考察了不同B掺杂量的Cd0．5Zn0．5S催化剂在可见光光照下的放氢活性和稳定性．实验结果表明，B......
采用固相燃烧法制备了单晶多面体尖晶石型LiMn1.94B0.06O4正极材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及充放电......
研究了用快淬制备的铸态和退火处理后Co-Cu—B合金条带的磁电阻性能、微观结构．随B含量的增加，MR幅度减少．利用分析电镜观察发现C03B......
利用基于密度泛函理论的超软赝势方法（PWP），结合局域密度近似（LDA）计算替位式掺杂B的Sr2MgSi2O7的电子结构。预测了B掺杂Sr2MgSi2O7的晶......
研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响．对XRD和SEM的研究结果表明，B掺杂对ZnO薄膜的微观结......
在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜，利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响。结果显示，B元......
采用水热法合成锐钛矿型B掺杂的TiO_2纳米粉,并进一步制得B/TiO_2纳米管,采用XRD、TEM、SEM、EDS、FTIR、UV-Vis、BET及PL等对B/Ti......
通过第一性原理计算,采用Dmol3模块考察了B原子分别掺杂C3N二维材料的C位(B/C-C3N)和N位(B/N-C3N)所形成的两种单原子催化剂的结构......
纳米TiO2作为纳米材料的一员,由于其具有极大的体积效应、表面效应和颜色效应以及良好的光学特性,故在光、电及催化等方面显示出特......
硫化镉(Cd S)是一种重要的II-VI族化合物半导体材料,它具有宽的直接带隙(~2.42 e V)、高的载流子迁移率(3×105 cm2/V·s)和良好的......
采用柠檬酸-溶胶凝胶法成功合成出Li2+xMnBxSi1-xO4锂离子电池正极材料。采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对材料的结构和形貌进行......
基于第一性原理的方法计算了B掺杂Ca2Si的电子结构,计算结果表明,B掺杂使晶胞体积减小,带隙变窄,导电类型为P型。......
采用阳极氧化法制备TiO2纳米管（TNTs）,在电解液中添加NaBF4制备B改性的TiO2纳米管（B/TNTs）,用湿浸渍法在TNTs和B/TNTs表面进行Ru改性制......
采用阳极氧化法制得TiO2纳米管（TNTs）、B改性TiO2纳米管（B/TNTs）,再结合湿浸渍法制得Ru改性TiO2纳米管（Ru/TNTs）和B、Ru共改性TiO2纳米管......
本文介绍非晶硅在太阳能电池的应用和制备的方法,着重介绍了RF-PECVD和DBD-PECVD两种制备方法,并且讨论了两种方法中,参数对制备的......
在众多半导体材料中，TiO2由于其光催化活性高、价格低廉、化学性质稳定、无毒等特点受到人们广泛关注，TiO2的回收-再利用性能也成为......
二氧化钛（TiO2）作为n型宽带隙无机半导体材料,具有无毒性、耐光化学腐蚀、无二次污染且优异的光催化活性,在光催化、气体传感器、空......
本文采用第一性原理方法对清洁CuΣ5晶界与有B掺杂到间隙位的CuΣ5晶界进行了拉伸和压缩的模拟研究.结果分析表明,CuΣ5晶界结合因......
研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向......
ZnO作为一种N型宽带隙直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，有优异的压电、光电、压敏等特性，其原材料丰富且无毒，电导率和透过......
一种理想的Li离子电池负极材料需要具有较高的储Li容量和较低的体积膨胀比.本文应用密度泛函理论研究了二维多孔石墨炔在B,N原子掺......
基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研......
通过软模板法获得的有序介孔碳孔壁通常为无定形，其电导率和表面活性较低，因而限制了其在燃料电池中的应用。本文在有序介孔碳中复合......
TiO2作为重要的半导体光催化剂，因具有良好的光催化活性、稳定的光化学性能、无毒性、低成本、使用寿命长而备受研究者关注。然而Ti......
本文研究了B2H6掺杂流量(B掺杂)对平面结构MOCVD-ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明,玻璃衬底上......
当器件的尺度进入纳米量级,许多新的现象都展现在人们面前,并表现出其潜在巨大的应用价值。同时,纳米管中空的管状结构使得它在分......
碲镉汞是一种重要的红外光电子探测器材料,其禁带宽度在0～1.65eV范围内连续可调,基于碲镉汞材料的红外探测器可覆盖整个红外大气窗......
半导体SiC材料以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子......
