随着电子工业的发展,人们对电容器介电材料的要求也越来越高,具有高的介电常数、低的介电损耗和高的击穿强度的电介质材料日益成为人们研究的目标。本文采用溶液浇铸法制备了一系列EP/P(VDF-HFP)复合薄膜。通过调整EP的固化条件,提高了复合薄膜的拉伸强度。结果表明,EP以微粒的形式均匀分散在基体中,在EP含量较高时,EP微粒与P(VDF-HFP)在一起形成局部富集区域。偏振光显微镜观察到了在富集区域外围P(VDF-HFP)晶粒形成特殊的附生结晶。红外光谱和X射线衍射分析表明,EP的加入使P(VDF-HFP)部分非极性α相转化为弱极性γ相。随着EP的加入,复合薄膜的介电常数略有下降,击穿强度显著提高。EP的加入使复合膜的的电滞回线趋于线性,能量损失大大降低,放电效率显著提高。在氢氧化钾作为催化剂的条件下,使EP的环氧基和CNTs的羧基进行开环反应,制备了EP包覆CNTs的杂化物,TEM下观察到CNTs表面有一层壳体,FTIR和TG中都证明了EP的存在,说明了EP成功接枝到CNTs的表面。采用溶液法制备了EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)纳米复合薄膜,SEM观察到纳米粒子均匀分散在基体中,且与基体相容性较好。XRD和DSC分析发现改性后的CNTs诱导形成更多的β晶型,纳米粒子的加入使复合薄膜的介电常数显著提高,同时介电损耗保持较低,在5wt%含量下,复合薄膜的击穿强度还能保持在55.09MV/m。这种高介电性能得益于EP作为CNTs的绝缘层,不仅提高了CNTs的分散性,还避免了CNTs在基体中形成整体的漏电网络,抑制了电流的泄露,遏制了击穿强度的大幅下降。