磁性控制是未来电子学、自旋电子学、拓扑学和量子科技最重要的基础之一。基于二维材料的集成便利性,在二维晶体中诱导长程铁磁序有利于实现光、电、磁耦合的多功能器件。然而,目前所有的二维范德华本征铁磁体都限制于较低的居里温度,无法在室温稳定工作。并且无法有效调控磁矩大小、易磁化轴方向、电导率、迁移率等电学和磁学特征参数,继而无法适用于不同的使用环境。基于此,本文针对不同的铁磁诱导机制,研究了晶体缺陷、磁性元素掺杂、无限固溶合金等磁性机制作用下的过渡金属碲化物的电学、磁学特性。首次在二碲化钨中实现了第二类外尔半金属性和铁磁性的结合,首次合成了成分连续可调、铁磁特性连续可调的铁磁无限固溶体。第一,通过调控晶体中的缺陷浓度,在二维半导体Mo Te2纳米片中实现高度可调的室温铁磁性。首先,发现二维半导体Mo Te2纳米片中存在的晶体缺陷使其具有室温铁磁性,并且居里温度高于400 K。通过归纳总结文献中报道的二维材料的铁磁性,发现缺陷诱导的铁磁性对二维材料具有较为广泛的普适性。然后,通过Ta掺杂在二维半导体Mo Te2纳米片中引入了更高浓度的晶体缺陷,使得掺杂后的Mo Te2纳米片的饱和磁化强度增强了4余倍。通过对样品中微量磁性元素的分析,排除了磁性杂质对所观测到的晶体缺陷磁性的干扰。虽然晶体缺陷铁磁性具有高居里温度的优势,然而其饱和磁化强度相对较小,在实际应用中有一定困难。第二,基于晶体缺陷磁性的饱和磁化强度较小的问题,通过在WTe2中引入磁性Cr原子,首次在第二类外尔半金属WTe2中诱导出强的长程铁磁性。同时,Cr-WTe2的居里点可以通过控制掺杂浓度调控到近室温。通过HRTEM和EELS测试,我们发现Cr均匀的分散在WTe2晶格中,并且Cr的价态和体系的居里温度高度相关。通过VSM和反常霍尔测试,证实了体系的长程铁磁性。通过ARPES,Sd H振荡和巨磁电阻等测试,证实了体系的外尔半金属特性。虽然磁性元素掺杂能将铁磁性和宿主材料独特的性质结合起来,然而能掺入的磁性元素的含量却十分有限。第三,针对磁性掺杂范德华材料中掺杂浓度受限制的问题,合成了成分精确可控的层状/准层状无限固溶体合金,并在其中实现了高度、连续可调的铁磁性和电输运特性。首先,通过分析不同碲化物的晶体结构和离子半径,筛选出Cr-V-Te这个可能存在的无限固溶的合金体系。通过助溶剂方法首次合成了10种不同Cr含量的Cr VTe(CrxV1-3x/4Te2)合金,通过成分和结构变化的测量,确认了其无限固溶的特性。通过磁学和电学测试,发现Cr VTe无限固溶体单晶的居里点、饱和磁矩、易磁化轴、载流子浓度、电导率、迁移率等磁学电学特征参数可以通过调控Cr浓度而得到有效调控。通过能态密度和交换耦合能的计算,揭示了其长程铁磁性机制。